HGT1S10N120BNST
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren N-Kanal IGBT NPT-Serie 1200V
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 250 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
35 A
Pd - Energieverschwendung:
298 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1200 V
Packung / Gehäuse:
TO-263AB-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Spirale
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
2,7 V
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
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