IKP20N60T
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
TO-220-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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