AUIRG4PH50S
fabricant:
Infineon Technologies
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
57 A
Pd - Energieverschwendung:
200 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
1,2 KV
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1.7 V
Hersteller:
Infineon Technologies
Einleitung
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