Die Angabe der Größenordnung ist in Anhang I Nummer 2 zu finden.
fabricant:
IXYS
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
Na 200
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
65 A
Pd - Energieverschwendung:
200 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
600 V
Packung / Gehäuse:
ISOPLUS i4-PAC-5
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 20 V
Verpackung:
Schlauch
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,6 V
Hersteller:
IXYS
Einleitung
Die FID60-06D, von IXYS, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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