Siehe auch Anhang II.
Beschreibung:
SIA907EDJT-T1-GE3 Datenblatt pdf und Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Produktdetails aus dem Vi
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Teilnummer:
Siehe auch Anhang II.
Hersteller:
Vishay/Siliconix
Beschreibung:
Alternative Modelle sind erhältlich.
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller
Datenblatt:
SIA907EDJT-T1-GE3 Datenblatt PDF
Lieferung:
DHL, UPS, FedEx, Einschreiben
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Weitere Informationen:
SIA907EDJT-T1-GE3 Weitere Informationen
ECAD:
Anfordern Sie kostenlose CAD-Modelle
Preise (in USD):
Null Dollar.56
Anmerkung:
Hersteller: Vishay / Siliconix.
Tanssion ist einer der Distributoren.
Weite Palette von Anwendungen.
Der Berg:
Oberflächenbefestigung
Herbstzeit:
10 ns
Rds auf max.:
57 mΩ
Anzahl der Pins:
6
Anzahl der Kanäle:
2
Einschaltverzögerungszeit:
5 ns
Element-Konfiguration:
Zweifach
Maximale Betriebstemperatur:
150 °C
Lassen Sie zum Quellwiderstand ab:
57 mΩ
Ununterbrochener Abflussstrom (Identifikation):
4,5 A
Lassen Sie zur Quelldurchbruchsspannung ab:
-20 V
Produktkategorie:
Diskrete Halbleiter - Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt:
Siehe auch: SIA907EDJT-T1-GE3.pdf
Qty:
345 auf Lager
Anwendungen:
Drahtgebundenes Netzwerk
Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS)
Gewicht:
280,009329 mg
Anstiegszeit:
10 ns
Widerstand:
57 mΩ
Machtverlust:
1.9 W
Anzahl der Elemente:
2
Abschaltverzögerungszeit:
30 ns
Maximaler Leistungsausfall:
7.8 W
Min Betriebstemperatur:
-55 °C
Tor zur Quellspannung (Vgs):
12 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Einleitung
SIA907EDJT-T1-GE3 Übersicht\\nSIA907EDJT-T1-GE3 ist ein Modell, das zur Unterkategorie Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays unter Discrete Semiconductor gehört. Für spezifische Produktleistungsparameter,Bitte beachten Sie das Datenblatt, z. B. PDF-Dateien, Docx-Dokumente usw. Wir haben für Sie hochwertige Bilder und Datenblätter von SIA907EDJT-T1-GE3 zur Verfügung.Wir werden weiterhin verschiedene Videodateien und 3D-Modelle produzieren, damit die Nutzer unser Produkt intuitiver und umfassender verstehen können. SIA907EDJT-T1-GE3 wird in drahtgebundenen Netzwerken, Advanced Driver Assistance Systems (ADAS) weit verbreitet.SIA907EDJT-T1-GE3 kann auf viele Arten gekauft werdenSie können eine Bestellung direkt auf dieser Website platzieren, oder Sie können uns anrufen oder uns per E-Mail.Wir können auch das Inventar an die Peer-Distributoren anpassen, um Ihren Bedürfnissen gerecht zu werdenWenn die Lieferung von SIA907EDJT-T1-GE3 unzureichend ist, haben wir auch andere Modelle unter der Kategorie Diskrete Halbleitertransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, um sie zu ersetzen. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with Fans. So können Sie SIA907EDJT-T1-GE3 von Fans mit Vertrauen bestellen. Über die Lieferung, können wir Waren an unsere Kunden über eine Vielzahl von Logistik, wie DHL, FedEx, UPS,TNT und EMS oder jeder andere SpediteurWenn Sie mehr über die Fracht wissen möchten, können Sie uns für weitere Details kontaktieren.
Siehe auch:
Siehe auch:
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: