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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des Europäischen Parlaments und des Rates [3] erfasst.

Beschreibung:
SI6913DQ-T1-GE3 Datenblatt pdf und Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays Produktdetails aus dem Vish
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Teilnummer:
Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 des E
Hersteller:
Vishay/Siliconix
Beschreibung:
Alternative Modelle sind erhältlich.
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller
Datenblatt:
SI6913DQ-T1-GE3 Datenblatt PDF
Lieferung:
DHL, UPS, FedEx, Einschreiben
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Weitere Informationen:
SI6913DQ-T1-GE3 Weitere Informationen
ECAD:
Anfordern Sie kostenlose CAD-Modelle
Preise (in USD):
Ein Dollar.07
Anmerkung:
Hersteller: Vishay / Siliconix. Tanssion ist einer der Distributoren. Weite Palette von Anwendungen.
Der Berg:
Oberflächenbefestigung
Größe:
1 Millimeter
Gewicht:
157.991892 mg
Anstiegszeit:
80 ns
Widerstand:
21 mΩ
Gehäuse/Verpackung:
TSSOP
Kontaktplattierung:
Zinn
Schwellenspannung:
-900 Millivolt
Anzahl der Elemente:
2
Abschaltverzögerungszeit:
130 ns
Maximaler Leistungsausfall:
830 mW
Min Betriebstemperatur:
-55 °C
Tor zur Quellspannung (Vgs):
8 V
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
12 V
Produktkategorie:
Diskrete Halbleiter - Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt:
Siehe auch:
Qty:
6810 auf Lager
Anwendungen:
Portable Elektronik PC und Notebooks Datencom-Modul
Breite:
4,4mm
Länge:
3 Millimeter
Herbstzeit:
80 ns
Rds auf max.:
21 mΩ
Zeitplan B:
8541290080
Anzahl der Pins:
8
Machtverlust:
830 mW
Anzahl der Kanäle:
2
Einschaltverzögerungszeit:
45 ns
Element-Konfiguration:
Zweifach
Maximale Betriebstemperatur:
150 °C
Lassen Sie zum Quellwiderstand ab:
21 mΩ
Ununterbrochener Abflussstrom (Identifikation):
4,9 A
Lassen Sie zur Quelldurchbruchsspannung ab:
-12 V
Einleitung
SI6913DQ-T1-GE3 Übersicht\\\\nSI6913DQ-T1-GE3 ist ein Modell, das zur Unterkategorie Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays unter Discrete Semiconductor gehört.Siehe Datenblatt, wie PDF-Dateien, Docx-Dokumente usw. Wir haben SI6913DQ-T1-GE3 hochauflösende Bilder und Datenblätter zur Referenz.Wir werden weiterhin verschiedene Videodateien und 3D-Modelle produzieren, damit die Nutzer unser Produkt intuitiver und umfassender verstehen können. SI6913DQ-T1-GE3 wird weit verbreitet in Portable-Elektronik, PC und Notebooks, Datacom-Modul verwendet. Es wird von Vishay / Siliconix hergestellt und von Fans, Tanssion und anderen Distributoren vertrieben.SI6913DQ-T1-GE3 kann auf viele Arten erworben werdenSie können eine Bestellung direkt auf dieser Website platzieren, oder Sie können uns anrufen oder uns per E-Mail.Wir können auch das Inventar an die Peer-Distributoren anpassen, um Ihren Bedürfnissen gerecht zu werdenWenn die Versorgung mit SI6913DQ-T1-GE3 unzureichend ist, haben wir auch andere Modelle unter der Kategorie Diskrete Halbleitertransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, um sie zu ersetzen. Fans provides a 1-year warranty to customers who have purchased this part to ensure that our customers have a wonderful purchasing experience and are willing to establish a long-term relationship with FansSo können Sie SI6913DQ-T1-GE3 von Fans mit Vertrauen bestellen.TNT und EMS oder jeder andere SpediteurWenn Sie mehr über die Fracht wissen möchten, können Sie uns für weitere Details kontaktieren.
Siehe auch:
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