FQP27P06
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
43 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 13,5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
10 V
Package:
Tube
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±25V
Produktstatus:
Aktiv
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1400 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
27A (Tc)
Power Dissipation (Max):
120W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP27
Einleitung
P-Kanal 60 V 27A (Tc) 120W (Tc) durch Loch TO-220-3
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: