FQPF10N60C
fabricant:
Einheitlich
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3 Full Pack
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
57 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
730mOhm @ 4.75A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2040 pF @ 25 V
Typ der Montage:
Durchs Loch
Series:
QFET®
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220F-3
Mfr:
onsemi
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
9.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
50W (Tc)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Base Product Number:
FQPF10
Einleitung
N-Kanal 600 V 9,5 A (Tc) 50 W (Tc) durch das Loch TO-220F-3
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