Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Packung / Gehäuse:
8-SMD, flache Führung
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
26 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 7A, 10V
FET Type:
P-Channel
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2700 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TSMT8
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7A (Ta)
Power Dissipation (Max):
550mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RQ1E070
Einleitung
P-Kanal 30 V 7A (Ta) 550 mW (Ta) Oberflächenhalter TSMT8
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
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