Nachricht senden
Haus > produits > Getrennte Halbleiter-Produkte > Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt.

Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführt.

fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Betriebstemperatur:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
131 nC @ 18 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
FET-Typ:
N-Kanal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
Paket:
Schlauch
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2222 pF @ 800 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
339W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Einleitung
N-Kanal 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) durch das Loch TO-247N
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: