MT420F1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B1B2
fabricant:
Micron Technologie Inc.
Beschreibung:
IC DRAM 16GBIT PAR 96FBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Kategorie:
Integrierte Schaltungen (IC)
Gedächtnis
Gedächtnis
Memory Size:
16Gbit
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Bulk
Series:
-
DigiKey Programmable:
Not Verified
Memory Interface:
Parallel
Write Cycle Time - Word, Page:
15ns
Supplier Device Package:
96-FBGA (7.5x13)
Memory Type:
Volatile
Mfr:
Micron Technology Inc.
Clock Frequency:
1.5 GHz
Voltage - Supply:
1.14V ~ 1.26V
Access Time:
19 ns
Package / Case:
96-TFBGA
Memory Organization:
1G x 16
Operating Temperature:
0°C ~ 95°C (TC)
Technology:
SDRAM - DDR4
Base Product Number:
MT40A1G16
Memory Format:
DRAM
Einleitung
SDRAM - DDR4-Speicher IC 16Gbit Parallel 1,5 GHz 19 ns 96-FBGA (7,5x13)
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UFS 2T
USE Gefahrenabweichung
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt.
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| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
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MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR: E |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert. |
IC FLASH 512GBIT MMC
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Die in Absatz 1 genannte Nummer gilt nicht für die in Absatz 1 genannte Nummer. |
USSD 512G
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MTFC32GAZAQHD-AIT |
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
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MT4A2G8SA-062E:F |
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
UFS 2T
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USE Gefahrenabweichung |
IC DRAM 32GBIT PARALLEL 96FBGA
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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 aufgeführt. |
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
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MTFC32GAZAQHD-IT |
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