Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
Diode GEN PURP 600V 800MA PMDS
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 600 V
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.45 V @ 800 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Kapazität @ Vr, F:
-
Lieferanten-Gerätepaket:
PMDS
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
35 ns
Mfr:
ROHM Halbleiter
Technologie:
Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-214AC, SMA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
800mA
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
RFN1L6
Einleitung
Diode 600 V 800 mA Oberflächenmontage PMDS
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