DMG1012UW-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±6V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
0.74nC @ 4,5 V
Hersteller:
Dioden eingebunden
Minimale Quantität:
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
1.8V, 4.5V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
60.67pF @ 16V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-323
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
450 mOhm @ 600 mA, 4,5 V
Verlustleistung (maximal):
290 mW (Ta)
Packung / Gehäuse:
SC-70, SOT-323
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
20 V
Einleitung
Der DMG1012UW-7, von Diodes Incorporated, ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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