DMN3150L-7
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
±12V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
3.8A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
-
Hersteller:
Dioden eingebunden
Minimale Quantität:
3000
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
2.5V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
305pF @ 5V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
85 mOhm @ 3,6A, 4,5 V
Verlustleistung (maximal):
1.4W (Ta)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
28 V
Einleitung
Der DMN3150L-7 von Diodes Incorporated ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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