DMT6016LSS-13
fabricant:
Dioden eingebunden
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
MOSFET
Vgs (maximal):
± 20V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
9.2A (Ta)
@ qty:
0
FET-Typ:
N-Kanal
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs:
17nC @ 10V
Hersteller:
Dioden eingebunden
Minimale Quantität:
2500
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet):
4.5V, 10V
Fabrikbestand:
0
Betriebstemperatur:
-55 °C bis 150 °C (TJ)
Fet-Eigenschaft:
-
Reihe:
-
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds:
864pF @ 30V
Lieferanten-Gerätepaket:
8-SO
Status des Teils:
Aktiv
Verpackung:
Band und Rolle (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
18 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (maximal):
1.5W (Ta)
Packung / Gehäuse:
8-SOIC (0.154" , 3.90mm Breite)
Technologie:
MOSFET (Metalloxid)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
60 V
Einleitung
Der DMT6016LSS-13, von Diodes Incorporated, ist MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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