FQA38N30
fabricant:
Fairchild Halbleiter
Beschreibung:
MOSFET 300 V N-Kanal QFET
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
N-Kanal
Technologie:
Si
Identifikation - ununterbrochener Abfluss-Strom:
38.4 A
Montageart:
Durchs Loch
Mindestbetriebstemperatur:
- 55 C
Packung / Gehäuse:
TO-3PN-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Kanal-Modus:
Verbesserung
Vds - Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:
300 V
Verpackung:
Schlauch
Produktkategorie:
MOSFET
Anzahl der Kanäle:
1 Kanal
Vgs - Tor-Quellspannung:
30 V
Auf- Widerstand RDS Abfluss-Quell:
85 mOhms
Hersteller:
Fairchild Halbleiter
Einleitung
Der FQA38N30 von Fairchild Semiconductor ist ein MOSFET. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, und zwar in Original- und neuen Teilen.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
Verwandte Produkte
FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench
FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
FQB34P10TM
MOSFET 100V P-Channel QFET
FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET
FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
| Bild | Teil # | Beschreibung | |
|---|---|---|---|
|
|
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
|
|
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
|
|
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
|
|
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
|
|
FQB34P10TM |
MOSFET 100V P-Channel QFET
|
|
|
|
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
|
|
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
|
|
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
|
|
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
|
|
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
Senden Sie RFQ
Auf Lager:
MOQ: