USE Gefahrenabweichung
fabricant:
Mikrontechnologie
Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
SDRAM-DDR2
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für d
Zugriffszeit:
500ps
Speicherformat:
DRAM
Status des Teils:
Veraltet
Speichergröße:
512 MB (32 MB x 16)
Verpackung:
Tray
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
0°C | 85°C (TC)
Minimale Quantität:
1000
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
84-TFBGA
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Uhrfrequenz:
267 MHz
Spannung - Versorgung:
1,7 V ~ 1,9 V
Reihe:
-
Hersteller:
Mikrontechnologie
Einleitung
Die MT47H32M16CC-37E:B von Micron Technology sind Speicher-ICs. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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