MT46V16M16CY-5B:M
fabricant:
Mikrontechnologie
Beschreibung:
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
SDRAM-DDR
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
Einheit für die Berechnung der Leistung
Zugriffszeit:
700ps
Speicherformat:
DRAM
Status des Teils:
Aktiv
Speichergröße:
256Mb (16M x 16)
Verpackung:
Schüttgut
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
0°C bis 70°C (TA)
Minimale Quantität:
1368
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Uhrfrequenz:
200 MHz
Spannung - Versorgung:
2,5 V | 2,7 V
Reihe:
-
Hersteller:
Mikrontechnologie
Einleitung
Die MT46V16M16CY-5B:M von Micron Technology sind Speicher-ICs. Was wir anbieten, hat einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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