MT47H256M8EB-25E: C
fabricant:
Mikrontechnologie
Beschreibung:
IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
SDRAM-DDR2
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
15n
Lieferanten-Gerätepaket:
60-FBGA (9x11.5)
Zugriffszeit:
400ps
Speicherformat:
DRAM
Status des Teils:
Aktiv
Speichergröße:
2Gb (256M x 8)
Verpackung:
Tray
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
0°C | 85°C (TC)
Minimale Quantität:
1
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
60-TFBGA
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Uhrfrequenz:
400 MHz
Spannung - Versorgung:
1,7 V ~ 1,9 V
Reihe:
-
Hersteller:
Mikrontechnologie
Einleitung
Der MT47H256M8EB-25E:C,von Micron Technology,ist Speicher-ICs.Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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