NAND512R3A2SZA6E
fabricant:
Mikrontechnologie
Beschreibung:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Technologie:
FLASH - NAND
Produktkategorie:
Speicher-ICs
Speichertypen:
Nicht flüchtig
Fabrikbestand:
0
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite:
50 ns
Lieferanten-Gerätepaket:
63-VFBGA (9x11)
Zugriffszeit:
50 ns
Speicherformat:
Blitz
Status des Teils:
Veraltet
Speichergröße:
512Mb (64M x 8)
Verpackung:
Tray
@ qty:
0
Betriebstemperatur:
-40 °C bis 85 °C (TA)
Minimale Quantität:
1260
Speicheroberfläche:
Parallel
Packung / Gehäuse:
63-TFBGA
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Uhrfrequenz:
-
Spannung - Versorgung:
10,7 V ~ 1,95 V
Reihe:
-
Hersteller:
Mikrontechnologie
Einleitung
Die NAND512R3A2SZA6E,von Micron Technology,ist Speicher-ICs.Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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