THGBMDG5D1LBAIT
fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
Flash-Speicher 4GB NAND EEPROM
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
Speicher
Montageart:
SMD/SMT
Packung / Gehäuse:
FBGA-153
Versorgungsspannung - Max:
3.6 V
Speichergröße:
4 GBS
Verpackung:
Tray
Versorgungsspannung - Min:
2,7 V
Speichertypen:
NAND
Betriebstemperaturbereich:
- 25 C bis + 85 C
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
Die THGBMDG5D1LBAIT,von Toshiba,ist Flash-Speicher.Was wir anbieten haben wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt,die in Original-und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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