NGB8207BNT4G
fabricant:
Littlefuse
Beschreibung:
IGBT-Transistoren GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
SMD/SMT
Pd - Energieverschwendung:
165 Watt
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
365 V
Packung / Gehäuse:
D2PAK
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Spirale
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
15 V
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
20 A
Hersteller:
Littlefuse
Einleitung
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