Die RGTH00TS65DGC11
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
IGBT-Transistoren 650V 50A IGBT-Stopp-Grench
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Tor-Emitterdurchsickernstrom:
+/- 200 nA
Produktkategorie:
IGBT-Transistoren
Montageart:
Durchs Loch
Ununterbrochener Kollektorstrom bei 25 C:
85 A
Pd - Energieverschwendung:
277 W
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
650 V
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 175 C
Verpackung:
Schlauch
Maximale Tor-Emitter-Spannung:
+/- 30 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
1,6 V
Hersteller:
ROHM Halbleiter
Einleitung
Die RGTH00TS65DGC11, von ROHM Semiconductor, sind IGBT Transistoren. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem globalen Markt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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