BC847BS
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
200 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
600mV @ 5mA, 100mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
45 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-363
Mfr:
Yangjie Technologie
Strom - Sammlergrenze (maximal):
15nA (ICBO)
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
-55 °C ~ 150 °C
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
200 @ 2mA, 5V
Basisproduktnummer:
847 v. Chr.
Einleitung
Bipolarer (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 200MHz 300mW Oberflächenhalter SOT-363
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Bild | Teil # | Beschreibung | |
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