IMZ4T108
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
Transformations-NPN/PNP 32V 0,5A 6SMT
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
500 mA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistortyp:
NPN, PNP
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz, 200 MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
32 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMT6
Mfr:
ROHM Halbleiter
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 100mA, 3 V
Basisproduktnummer:
Imz4
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor-Array NPN, PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Oberflächenhalter SMT6
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