IMX8T108
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
50 mA
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Transistortyp:
2 NPN (Doppel)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
140MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 1mA, 10mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
120 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMT6
Mfr:
ROHM Halbleiter
Strom - Sammlergrenze (maximal):
500nA (ICBO)
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
180 @ 2mA, 6V
Basisproduktnummer:
IMX8
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Oberflächenhalter SMT6
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