UMT1NTN
fabricant:
Rohm Halbleiter
Beschreibung:
Die Anlage ist in der Lage, die Anlage zu ersetzen.
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistorarrays
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
150 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
2 PNP (zweifach)
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Häufigkeit - Übergang:
140MHz
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
500mV @ 5mA, 50mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
UMT6
Mfr:
ROHM Halbleiter
Strom - Sammlergrenze (maximal):
100nA (ICBO)
Leistung - Max.:
150 mW
Packung / Gehäuse:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Betriebstemperatur:
150°C (TJ)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
120 @ 1mA, 6V
Basisproduktnummer:
UMT1
Einleitung
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Oberflächenhalter UMT6
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