2DB1182Q-13
fabricant:
Dioden eingebunden
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
PNP
Produktkategorie:
Bipolar Transistor - BJT
Montageart:
SMD/SMT
Maximaler DC-Kollektorstrom:
- 3 A.
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO maximal:
- 32 V
Packung / Gehäuse:
TO-252-3
Höchstbetriebstemperatur:
+ 150 °C
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
110 MHz
Ausstattung:
Einzigartig
Kollektor-Basis-Spannung VCBO:
- 40 V
Reihe:
2DB11
Emitter-niedrige Spannung VEBO:
- 5 V
Kollektor-Emitter Sättigungs-Spannung:
- 0,8 V
Hersteller:
Dioden eingebunden
Einleitung
Die 2DB1182Q-13, von Diodes Incorporated, sind bipolare Transistoren - BJT. Was wir anbieten, haben einen wettbewerbsfähigen Preis auf dem Weltmarkt, die in Original- und neuen Teilen sind.Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen niedrigeren Preis verlangen möchten, kontaktieren Sie uns bitte über den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot!
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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten. |
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