IMD16AT108
fabricant:
Rohm Halbleiter
Kategorie:
Getrennte Halbleiter-Produkte
Spezifikationen
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren
Bipolar (BJT)
Bipolare Transistor-Arrays, vorgebildet
Strom - Kollektor (Ic) (maximal):
100 mA, 500 mA
Produktstatus:
Aktiv
Transistortyp:
1 NPN, 1 PNP - Vorverzerrt (Dual)
Häufigkeit - Übergang:
250 MHz
Typ der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Band und Rolle (TR)
Schnittband (CT)
Digi-Reel®
Reihe:
-
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic:
300mV @ 2,5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (maximal):
50 V
Lieferanten-Gerätepaket:
SMT6
Widerstand - Basis (R1):
100 kOhms, 2,2 kOhms
Mfr:
ROHM Halbleiter
Widerstand - Emitterbasis (R2):
22 kOhms
Strom - Sammlergrenze (maximal):
-
Leistung - Max.:
300 mW
Packung / Gehäuse:
SC-74, SOT-457
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
Basisproduktnummer:
IMD16
Einleitung
Bipolartransistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Bipolartransistor (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz 300mW Oberflächenhalter SMT6
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