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2SC5198

fabricant:
Toshiba
Beschreibung:
Anwendungen für Silizium-NPN-Triple-Diffus-Typ-Leistungsverstärker
Kategorie:
Halbleiter
Spezifikationen
Transistor-Polarität:
NPN
Produktkategorie:
Bipolare Transistoren - Bipolare Verbindungstransistoren (BJT)
Installations-Art:
Durchs Loch
Pd-Leistungsausfall:
100 W
Verpackenquantität der Fabrik:
2000
Paket:
Schnittband
Dauerstromkollektor:
10 A
Gewinn-Bandbreiten-Produkt fT:
30 MHZ
Ausstattung:
Dreiergruppe
Art der Ware:
BJT - Bipolare Transistoren
Emittenten - Grundspannung VEBO:
5 V
Kollektor-Emitter maximale Spannung VCEO:
140 V
Gleichstromkollektor / Basisgewinn Min:
55
Hersteller:
Toshiba
Einleitung
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